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传统PN二极管 vs 肖特基二极管:差别到底在哪?

传统PN二极管 vs 肖特基二极管:差别到底在哪?


1. 金属与半导体结的两种接触模式

金属与半导体结连结处会有两种接触模式

欧姆接触:

在金属与重掺杂的半导体连接处实现,特点是连接处 V-I 特性呈线性,最常见的例子半导体器件的管角引线。

肖特基接触:

出现在发生在特定的金属与轻掺杂的N型半导体之间。接触的地方的 V-I 特性呈类似PN结的特性。为了使费米能级对齐,电子会从费米能级(动能)较高的N区流金属制成的正极。N区离子不移动近而形成空间电荷区,内电场试图阻止中性区电子向正极的移动,形成肖特基势垒,利用这一特点形成的产品,就是我们今天要讨论的肖特基二极管。

2. 什么是肖特基二极管

肖特基二极管是由:金属(如铝、钼、镍等)+ N型半导体(硅或砷化镓…)形成的金属-半导体结Schottky Barrier。肖特基二极管的导通是依靠多数载流子(电子)越过势垒,没有少数载流子参与,其特点是:

  1. 速度快,反向恢复性能优秀(没有少子载流子注入和储存,也就没有“要清空的电荷”。反向加压时电流几乎立刻停止,只存在极小的结电容放电电流);
  2. 正向压降较低(小电流器件常在 0.15V - 0.45V 之间);
  3. 反偏置漏电流相对PN结较大(漏电流是金属中的热激发电子向N区移动所产生少量的漏电流,其大小与金属的选择有关);
  4. 电容小,且随温度变化不大;
  5. 对静电敏感。

3. 肖特基二极管的特性

我们以Vishay出品的一颗 100V 8A 的肖特基二极管SS8PH10为例,说明一下传统的200V一下肖特基二极管的特性。

从上面罗列的该产品的主要电参数,以及VF随温度变化的曲线,漏电流随温度变化曲线。我们可以发现肖特基二极管与普通二极管所不同的是:

  1. 肖特基二极管的VF很低,在 8A 时只有 0.8V ,随着温度的升高,它的VF略有下降。
  2. 肖特基二极管的漏电流在整个工作温度范围内变化比较大,在25℃的室温下漏电流不到一个微安,温度变化到125℃漏电流能变化到 300μA ,这都是工程师设计电路时要注意的地方!

4. 碳化硅肖特基二极管

传统肖特基二极管使用时最大的弱点就是它的耐压比较低,虽然有耐压 200V 及更高的产品,但是随温度升高,漏电流变得比较大,应用少。目前我们市场上已经很成熟的碳化硅制成的肖特基二极管,在这方面就很有优势。

SiC 作为半导体材料特性有很多优点:

  • 允许最高结温高600c
  • 同样的厚度比PN结耐压可以更高,在相同耐压前提下阻抗更低,效率更高
  • 本征载流子密度小,承受高反向电压时漏电流小
  • 具有相对高的ESD等级

碳化硅材料制作的肖特基二极管是现阶段最理想的高压二极管产品,我们以onsemi的一颗650V/8A 的SIC肖特基二极管FFSD0865B为例,说明一下高压SIC肖特基二极管的特性。

除了基本的性能外,SIC器件与传统器件的不同还体现在:

  • 相同电路条件下,SIC器件的VF具有正温度特性;

  • 漏电流随温度的变化相对缓和,并且总值比较低;

  • SIC器件的ESD防护比普通器件高,高压器件本身比较结实。

5. 肖特基二极管对静电相对敏感

肖特基二极管本身对静电(ESD)是相对敏感的器件,原因是:整流特性来自金属与半导体接触时形成的Schottky Barrier;结区的厚度结区极薄;耗尽区窄,没有PN结中的耗尽层的缓冲或吸收;阳极金属层易烧蚀;所以承受ESD时(±2~8 k)结区易受损或击穿。

二极管受ESD损伤后,会导致器件表现出:

  • 反向漏电流增大,最常见(从μA升至mA级)
  • 反向击穿提前,例如原额定40 V,损坏后20 V即击穿
  • 导通压降异常,正向压降变大或变小
  • 完全短路,严重静电击穿导致金属层熔融

6. 使用注意事项

  1. 设计中防止漏电流在高温下急剧上升发造成的热失效
  2. 避免热失控(传统肖特基二极管正向VF随温度升高而降低,更易通过电流,温度更高,形成正循环)
  3. 优选本身ESD等级高的器件,有ESD等级的器件:使用ESD保护器件例如双向TVS二极管。将一个电阻-电容串联网络并联在二极管两端,吸收高频的ESD能量并减缓电压的上升速率
  4. 优化PCB布局设计: 缩短关键路径,尽可能缩短肖特基二极管及其相关回路的走线长度
  5. 焊接温度要遵守Spec。
    1. 波峰焊,回流焊时:避免过快升温、冷却,否则会导致金属-半导体接触界面的热应力破坏;
    2. 手工焊时:过高的温度,过长的时间会损伤正极金属接触界面
  6. 储存,生产及运输过程控制:整个生产流程中严格执行ESD防护规程。这是最重要的,也是容易被忽视的

肖特基二极管并不是传统意义上的 PN 结器件,而是由金属与 N 型半导体形成的肖特基势垒实现整流功能。正因为这种结构,它具备正向压降低、速度极快、几乎没有反向恢复电荷等显著优势,在高频、高效率电源中被广泛使用。你是否在电路设计中使用过肖特基二极管?它为你解决了哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验!

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转载自CSDN-专业IT技术社区

原文链接:https://blog.csdn.net/m0_61036291/article/details/160335250

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